功率MOSFET和前述的MOSFET元件有什麼區別?

功率MOSFET和前述的MOSFET元件在結構上就有著顯著的差異。 一般積體電路里的MOSFET都是平面式（planar）的結構，電晶體內的各端點都離晶片表面只有幾個微米的距離。 而所有的 功率元件 都是垂直式（vertical）的結構，讓元件可以同時承受高電壓與高電流的工作環境。 一個功率MOSFET能耐受的電壓是雜質摻雜濃度與N型磊晶層（epitaxial layer）厚度的函式，而能通過的電流則和元件的通道寬度有關，通道越寬則能容納越多電流。 對於一個平面結構的MOSFET而言，能承受的電流以及崩潰電壓的多寡都和其通道的長寬大小有關。 對垂直結構的MOSFET來說，元件的面積和其能容納的電流成大約成正比，磊晶層厚度則和其崩潰電壓成正比。

什麼是 MOSFET開關?

MOSFET開關的套用範圍很廣，舉凡需要用到取樣持有電路（sample-and-hold circuits）或是截波電路（chopper circuits）的設計，例如類比數位轉換器（A/D converter）或是切換 電容 濾波器（switch-capacitor filter）上都可以見到MOSFET開關的蹤影。 當NMOS用來做開關時，其基極接地，柵極為控制開關的端點。

什麼是 MOSFET 驅動器?

MOSFET 驅動器是一款高頻高電壓柵極驅動器,可利用一個同步 DC/DC 轉換器和高達 100V 的電源電壓來驅動兩個 N 溝道 MOSFET 。 強大的驅動能力降低了具高柵極電容 ... IR公司將其某類 MOSFET 稱作 HEXFET MOSFET 。

積體電路中的MOSFET有什麼區別?

而在積體電路中的MOSFET通常因為使用同一個基極（common bulk），所以不標示出基極的極性，而在PMOS的柵極端多加一個圓圈以示區別（這是國外符號，國標符號見圖）。 這樣，MOSFET就有了4鐘類型：P溝道增強型，P溝道耗盡型，N溝道增強型，N溝道耗盡型，它們的電路符號和套用特性曲線如下圖所示。 金屬—氧化層—半導體結構MOSFET在結構上以一個金屬—氧化層—半導體的電容為核心（如前所述，今日的MOSFET多半以多晶矽取代金屬作為其柵極材料），氧化層的材料多半是二氧化矽，其下是作為基極的矽，而其上則是作為柵極的多晶矽。